Компания IBM на конференции International Solid State Circuits Conference сообщила о новом достижении собственных инженеров в области создания высокопроизводительной памяти eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory). Использование новых технологий позволяет в три раза повысить емкость чипов памяти и вдвое повысить производительность DRAM-устройств. Новая технология будет использоваться в процессорах, производимых по 45-нм технологии. Технология eDRAM станет коммерчески доступна в 2008 году.
IBM создала уникальную DRAM-память
Компания IBM на конференции International Solid State Circuits Conference сообщила о новом достижении собственных инженеров в области создания высокопроизводительной памяти eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory). Использование новых технологий позволяет в три раза повысить емкость чипов памяти и вдвое повысить производительность DRAM-устройств. Новая технология будет использоваться в процессорах, производимых по 45-нм технологии. Технология eDRAM станет коммерчески доступна в 2008 году.




